申博官网

中文 EN
首页
关于申博官网
新品颁布
适应扁平化趋向的全新插件整流桥-JC
适应扁平化趋向的全新插件整流桥-JC 返回
新产品宣告

fengmian-

产品介绍 将来电源产品发展的趋向是空间越来越幼 ,功率越来越大 。从而要求内部使用的电子元器件也必要追随这样的趋向来迭代更新;我司抓住机缘 ,已成功开发出JA、JB矮本体插件桥产品 ,并已经成功量产上市 ,在PC电源、服务器电源、TV电源等领域得到宽泛利用;JA、JB产品别离是对应6KBJ、4KBJ封装的矮本体设计 ,脚距不变的情况下 ,高度别离降低约34%、36% ,节约了客户整体电路板高度 ,缩幼了散热片尺寸 ,综合成本得到有效降低 。 为此我司行业首推JC全新矮本体封装的整流桥 ,脚距同现有GBU封装 ,能够用来代替GBU封装 。产品拥有本体矮、节约空间 ,浪涌能力强特点 ,可宽泛使用于TV电源、适配器、充电器等;
产品特点 1、JC封装选取无卤素环保物料 ,切合RoHS尺度;
2、JC相对GBU封装 ,pin脚间距一样 ,客户无需更改PCB板 ,高度降低约42% ,节约空间 ,助力客户扁平化设计;
3、内部封装Photo Glass工艺芯片 ,三层钝化; ,不变的高温个性以及信任机能力;
4、产品本体减幼 ,相应的背面锁装散热片尺寸也会减幼 ,降低客户端成本;
5、JC选取大矩阵式框架设计 ,单片框架片承载更多资料 ,大大提升出产效能 ,综合成本较GBU降落15%-20%;
规格书

D10JC05-THRU-D10JC100 D8JC05-THRU-D8JC100 D6JC05-THRU-D6JC100 D4JC05-THRU-D4JC100

有关新品

33-2

幼信号DFN1006-3L新封装

企业微信截图_1768271556389

半控整流+造动新突破 ,IGBT?槲欧变频大电流赋能

10

SOD-323FL封装肖特基

图片1

P60V MOSFET :低阻降损+散热控温,为汽车电子大功率开”绿灯“

企业微信截图_17194797771036

用于光伏微逆变、工业电源、服务器电源的SJ MOSFET

未标题-21画板-1

用于PD VBUS的N30V Trench MOSFET

1

用于汽车电子的N100V MOSFET新品

图片4

单通路双向瞬态电压抑造器 ,浪涌不慌 ,防护满格

011-4

100V TOLL Package MOSFET

10270383_200194660-xl画板-1-1画板-1-1

SOD-323HE瞬态抑造二极管

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用履历 ,有关信息请接见申博官网司法申明与隐衷申明 。若是您选择持续浏览这个提醒 ,便暗示您已接受我们网站的使用条款 。

【网站地图】