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用于散热电扇节造的N+P Dual 30V Trench MOSFET
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 新产品宣告

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产品介绍 近年来服务器电源的功率要求不休提升 ，产品体积幼型化的趋向下 ，对散热的要求带来越发严苛的挑战。申博官网科技近日推出选取TSMT8封装的N+P双芯片合封MOSFET ，简化产品电路桥接结构的同时保留了工程师利用的矫捷性 ，并可较大限度节俭PCB尺寸面积 ，合用于内部空间狭幼的各类散热电扇产品。
产品特点 1、产品选取PDFN3030-8L（TSMT8） N+P双芯框架合封的产品 ，相对DFN3333(3.3X3.3mm )同类封装 ，拥有更幼的尺寸 (2.8X2.9mm ) ，更合用于对于尺寸有极高要求的幼型电扇 ；
2、产品拥有过流能力强 ，热阻低 ，更宽领域的SOA的特点 ；
3、N MOS与PMOS合封 ，简化电路桥接结构的同时保留工程师利用的矫捷性 ；
规格书

YJU3724A YJU4606A

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